Czasopismo | PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY | Rocznik 2019 - zeszyt 10

Pomiary in-situ jednorodności temperatury i ex-situ grubości osadzonej warstwy w systemie epitaksjalnym AIXTRON CCS 3 x 2"

The method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system

10.15199/48.2019.10.40

nr katalogowy: 122743
10.15199/48.2019.10.40

Streszczenie

W pracy przedstawiono sposób kalibracji temperatury procesu epitaksji w systemie AIXTRON CCS 3x2". Kalibrowany system pirometryczny umożliwia monitorowanie in-situ temperatury podłoża na 5" grafitowej podstawie, w zakresie temperatur od 400 ͦ C do 1300 C z dokładnością do 2 C. Również przedstawiono stanowisko i metodę pomiarową z wykorzystaniem interferencji do określania grubości wytworzonej warstwy. Jako źródło światła wykorzystano ciało doskonale czarne rozgrzane do temperatury 1060 C i heterostrukturę AlGaN/GaN/Al203. Pomiary grubości warstwy zostały wykonane ex-situ, lecz z powodzeniem mogą zostać wykonane in-situ.

Abstract

The The paper presents the method of temperature calibration of the epitaxy process in the AIXTRON CCS 3x2'' system. The pyrometric system calibrated allows to monitor in-situ the temperature of the substrate on a 5'' graphite base, within the temperature range from 400 C to 1300 C with an accuracy of 2 C. Also the stand and the measurement method with the use of interference to determine the thickness of the created layer are presented. As a light source, a black body heated to 1060 C and heterostructure AlGaN/GaN/Al203 were used. Layer thickness measurements were taken ex-situ, but can be successfully done in-situ.

Słowa kluczowe

Keywords

Bibliografia

[1] T. Schenk, J. Zilian, B. Henninger, and M. Binetti, “(12) United States Patent," vol. 2, no. 12, 2013.
[2] A. D. Rakic, “Algorithm for the determination of intrinsic optical constants of metal films: Application to aluminum ", Applied Optics, vol. 34, pp. 4755-4767, 08 1995.
[3] D. E. Aspnes and A. A. Studna, “Dielectric functions and optical parameters of si, ge, gap, gaas, gasb, inp, inas, and insb from 1.5 to 6.0 ev," Phys. Rev. B, vol. 27, pp. 985-1009, Jan 1983.
[4] A. You, M. A. Y. Be, and I. In, “Refractive index study of grown on sapphire substrates films," vol. 2980, no. August, 2003.
[5] N. A. Sanford, “Refractive index study of AlxGa1-xN films grown on sapphire substrates", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS vol. 94, no. 5, pp. 2980-2991, 2003.
[6] C. Li, X. Bao, J. Xu, Y. Zhang, X. Li, C. Li, X. Bao, J. Xu, Y. Zhang, and X. Li, “Optical characterization of GaN/AlGaN bilayer by transmission and reflection spectra", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 063104, no. 2010, 2013.

Jeśli masz wykupiony/przyznany dostęp - zaloguj się. Skorzystaj z naszych propozycji zakupu!

Publikacja


e-Publikacja (format pdf) - nr 122743 "Pomiary in-situ jednorodn..." licencja: Osobista Produkt cyfrowy	10.00 zł

Zeszyt


PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - e-zeszyt (pdf) 2019-10 licencja: Osobista Produkt cyfrowy	55.00 zł

Prenumerata

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - prenumerata cyfrowa
licencja: Osobista

Produkt cyfrowy
Nowość

762.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - PAKIET prenumerata PLUS (Prenumerata papierowa + dostęp do portalu sigma-not.pl + e-prenumerata)	1002.00 zł brutto 927.78 zł netto 74.22 zł VAT (stawka VAT 8%)

1002.00 zł

PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna + wysyłka
licencja: Osobista

Szczegóły pakietu

Nazwa
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - papierowa prenumerata roczna	960.00 zł brutto 888.89 zł netto 71.11 zł VAT (stawka VAT 8%)
PRZEGLĄD ELEKTROTECHNICZNY - pakowanie i wysyłka	42.00 zł brutto 34.15 zł netto 7.85 zł VAT (stawka VAT 23%)

1002.00 zł

Zeszyt

2019-10

Twój Koszyk

Publikacja

Zeszyt

Prenumerata

Zeszyt

Czasopisma